“目前，干法刻蚀工艺主要是离子铣刻蚀、等离子刻蚀和反应离子刻蚀三种方案。”

“而这三种方案，离子铣刻蚀最为简单，可控性也比较高，技术成熟度也很高，相关的专利其实也已经被申请的差不多了，想要弯道超车，避开西方的专利壁垒，这个方案非常的难。”

“除此之外，这个方案也有技术本身的缺点，那就是刻蚀选择性极差，必须采用专门的刻蚀终点检测技术，并且刻蚀速率也比较低，性比价相当低。”

“而等离子刻蚀，虽然通过选择和控制放电气体的成分，可以得到较好的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率，但是刻蚀精度却并不高，一般只能运用在大于4-5微米线条的工艺之中。”

“而我们实验里正在进行的项目，就是王总设计的反应离子刻蚀方案！”

陈凌岳一边介绍着，一边带着尹之耀等人朝着刻蚀方案项目区域而去。

听到陈凌岳这么介绍，尹之耀的神情并没有多大的变化。

论文他已经看过了，虽然有些吃惊王东来的动作迅速，直接就在自己的实验室进行验证，但如果只是这样的话，也只能算是一般，中规中矩。

尹之耀的心里想法，其实不仅是王东来能看出来，陈凌岳也能看出来。

选择合适的气体组分，不仅可以获得理想的刻蚀选择性和速度，还可以使活性基团的寿命短，这就有效地抑制了因这些基团在薄膜表面附近的扩散所能造成的侧向反应，大大提高了刻蚀的各向异性特性。

并且，论文里面透露出来的信息，也让尹之耀充满了期待。

眼睛一眨不眨地看着仪器。

作为刻蚀行业沉浸几十年的大佬，尹之耀心里不断地评价着这座实验室。

按理来说，其实面对王东来设计出来的这一份刻蚀方案，不应该这么激动和看重。

王东来和陈凌岳等人见到尹之耀这样的表现，心里也不禁对尹之耀生出了一丝钦佩。

作为沉浸这一行几十年的老专家，在他手上其实也研发出来过不少先进的刻蚀方案。

毕竟这么大岁数的人了，还能对技术保持这样的心态，属实是很不错了。

这种刻蚀过程同时兼具物理和化学两种作用，辉光放电在零点几到几十帕的低真空下进行，硅片处于阴极电位，放电时的电位大部分降落在阴极附近，大量带电粒子受垂直于硅片表面的电场加速，垂直入射到硅片表面上，以较大的动量进行物理刻蚀，同时它们还与薄膜表面发生强烈的化学反应，产生化学刻蚀作用。

因为一个很简单的道理，技术越往后发展，所受到的掣肘也就越大，需要避开的东西也就越多。

而现在，尹之耀的面前就有这些仪器。

因为他已经确定了，王东来的这份蚀刻方案确实是合格的，甚至是优秀。 本章未完，请点击下一页继续阅读！ 第1页/共4页